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특허 실용신안

SiOCN 박막들의 형성

기관명, 출원인, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 권리구분, 초록, 원본url, 첨부파일 순으로 구성된 표입니다.
기관명	NDSL
출원인	에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
출원번호	10-2023-0050780
출원일자	2023-04-18
공개번호	20230504
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	반응 공간 내에서 기판 상에 실리콘 옥시카보나이트라이드 (SiCON) 박막들을 퇴적하기 이한 방법들이 제공된다. 상기 방법들은, 상기 기판을 실리콘 전구체와, 산소를 포함하지 않는 제2 반응물과 교대로 및 순차적으로 접촉시키는 단계를 포함하는 적어도 하나의 플라즈마 강화 원자층 퇴적(PEALD) 사이클을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 방법은 향상된 산에 기초한 습식 식각 저항성을 갖는 SiOCN 막들의 퇴적을 가능하게 한다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020230050780
첨부파일