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장비

열처리 제조장치

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보유기관명	경북대학교
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드
표준분류명
시설장비 설명	특징 - 본 장치는 Heater 및 로내 구성푸을 횡형으로 배치하고 열처리를 행하는 장치 - 3 tube system 4~6" wafer - Process Wafer : 150mm(25매) - 반응가스 : O2 - 생성온도 : 1000 ~ 1150℃ - 최고가열온도 : 1200℃ - 상요온도 : 800 ~ 1150℃ - 균열장 : Max 300mm (1000℃기준 ±1.0℃) 구성 - 전기로 : 저항가열 Heater 150mm Wafer용 온도제어용 TC 3 set - 구동부 : Boat Loader - Gas : N+ Anneal (N2 10SLM / O2 5SLM) P+ Anneal (N2 10SLM / O2 5SLM) - controller : Main (Eurotherm 2704) MFC (Eurotherm 2216e)활용범위 건식 습식 Oxide 형성 annealing.
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201404/.thumb/20140404133959932.jpg
장비위치주소	대구 북구 산격3동 경북대학교 1370 경북대학교 반도체연구동 지하1층 B105
NFEC 등록번호	NFEC-2007-10-011614
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0015677
첨부파일