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장비

텅스텐 화학 기상 증착 장치

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보유기관명	나노종합기술원
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C507
표준분류명	시험
시설장비 설명	반도체가 고집적화 되어감에 따라 금속 배선의 선폭 및 간격이 100 나노미터 이하로 작아지고 8층 이상의 다층으로 배선을 요구하게 됨에 따라 높은 에스펙트레이시요 (Aspect ratio)(종횡비)를 가지는 컨텍이나 비아를 채우기에는 기존의 PVD 증착법으로는 한계에 부딪치게 되어 PVD 공정 대비 스탭커버리지의 향상을 위해 CVD W 공정이 도입됨. CVD 공정의 반응단계를 살펴보면 WF6 Source Gas로 부터 SiH4와 H2 Gas를 반응 Gas로 사용하여 W을 분해하는 Nucleation Step과 WF6 Source Gas로 부터 H2 Gas를 반응 Gas로 사용하여 W을 분해하는 Bulk Step으로 구성되어 있음
장비이미지코드	https://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201712/20161025102502_20110126000000100913 NFEC-2011-01-137550.jpg
장비위치주소	카이스트 부설 나노종합기술원 나노종합기술원
NFEC 등록번호	NFEC-2011-01-137550
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	https://www.zeus.go.kr/cloud/resvEq/read/Z-201901255334?cloudId=200711140047
첨부파일