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장비

고주파 유도 결합 플라스마 화학 기상 증착

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보유기관명	서울대학교
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C507
표준분류명
시설장비 설명	본 장비는 ICP를 이용하여 Si3N4박막을 CVD Process로 성막하는 장비이다. Tthickness < 5000Å, Power < 1KW 임 활용분야화학적 박막증창공정구성및성능 - Process Chamber - High Density Plasma Source : 1.25KW @ 13.56MHz RF - Substrate Holder : Substrate size up to 6" - Vacuum System박막의 Guarantee 범위 : 300Å~3000Å [단 이외의 박막두께 진행시 장비담당자와 협의 후 진행하여야 함] 의뢰공정 진행 불가, 사용자 직접진행만 가능. 투입가능 웨이퍼 조각~6" 가능.
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201502/.thumb/2015021110653656.jpg
장비위치주소	서울 관악구 대학동 서울대학교 산 56-1 서울대학교 104동 (반도체공동연구소) 1층 C4-3
NFEC 등록번호	NFEC-2007-10-007921
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0013036
첨부파일