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장비

플라즈마 화학기상 증착시스템

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보유기관명	포항공과대학교
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C507
표준분류명
시설장비 설명	플라즈마 화학기상 증착시스템의 특징은 Chamber 내부에 Plasma를 형성시켜 기체상의 성분들이 기판 표면에서 확학적인 반응적으로 반응하여 안정한 고체 박막을 형성하는 박막 증착법.플라즈마 화학기상 증착시스템의 구성 및 성능은 다음과 같습니다. Dep rate : ＞000Å/min Thickness Uniformity : ＜ 3.0 Low stress Low Temp dep활용분야 Si etching 보호막 및 절연막으로 사용 가능한 SiO2막과 SiN막을 형성 시킴. - Deposition of dielectric films such as SiO2 SiON and Si3N4 below 100℃ for temperature sensitive substrates such as plastic. - Deposition of highly dense dielectric films at high temperature up to 400℃ - Liftoff process for SiO2 and Si3N4 with photoresist - NH3 free Si3N4 deposition process for low hydrogen content - Plasma damage free dielectric film deposition for plasma-damage sensitive substrates such as GaAs.
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/200907/.thumb/20090721105242.jpg
장비위치주소	경상북도 포항시 남구 청암로 77 (지곡동) 포항공과대학교 나노기술집적센터
NFEC 등록번호	NFEC-2009-07-072170
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0013183
첨부파일