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논문 기본정보
누설전류 Zero인 반도체 물질의 구조적 광학적 특성과 전도성과의 상관성
논문 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 저널명 | 반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor display technology |
| ISSN | 1738-2270, |
| ISBN |
논문저자 및 소속기관 정보
| 저자(한글) | 윤태환,오데레사 |
|---|---|
| 저자(영문) | |
| 소속기관 | |
| 소속기관(영문) | |
| 출판인 | |
| 간행물 번호 | |
| 발행연도 | 2015-01-01 |
| 초록 | It was the electrical properties of ZnS treated by the annealing in a vaccum and an atmosphere conditions to reseached the leakage current effect of semiconductor devices. Most samples were shown the non-linear with unipolar properties, but the ZnS annealed at $100^{ circ}C$ in a vaccum was only observed no leakage current in a range of -20 V |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=NART&cn=JAKO201506363291152 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| DDC 분류 | |
| 주제어 (키워드) | ZnS,Leakage current,XRD,PL spectra,Capacitance |