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특허 실용신안

터널링 전계 효과 트랜지스터, 네거티브 커패시턴스 전계 효과 트랜지스터, 및 I-MOS 등과 같이 고속 스위칭이 가능한 초경사 스위칭 소자 및 이를 이용한 인버터 소자와 정보처리 소자

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기관명	NDSL
출원인	성균관대학교산학협력단
출원번호	10-2024-0035526
출원일자	2024-03-14
공개번호	20240411
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	터널링 전계 효과 트랜지스터, 네거티브 커패시턴스 전계 효과 트랜지스터, 및 I-MOS 등과 같이 고속 스위칭이 가능한 초경사 스위칭 소자 및 이를 이용한 인버터 소자와 정보처리 소자가 개시된다. 초경사 스위칭 소자는 기판 상에 배치되고, 충격 이온화 특성을 갖는 반도체 재료로 형성된 반도체 채널, 상기 반도체 채널과 접촉하고, 상기 기판 상에서 서로 이격되게 배치된 소스 전극과 드레인 전극, 및 상기 반도체 채널 상의 일부에만 중첩된 게이트 전극, 및 상기 게이트 전극과 상기 반도체 채널 사이에 배치된 게이트 절연막을 포함하고, 상기 반도체 채널의 상부 표면은, 상기 게이트 전극이 중첩된 제1 영역, 및 상기 게이트 전극과 중첩되지 않은 제2 영역을 포함할 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020240035526
첨부파일