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특허 실용신안

성막 선택도 향상 및 그 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
출원번호	10-2020-0009109
출원일자	2020-01-23
공개번호	20200206
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	일 실시 예에 따른 방법은, 반도체 장치의 제1 표면 상에 억제제 층을 성막하는 단계, 제1 세트의 성막 사이클을 수행하여 상기 반도체 장치의 제2 표면 상에 막을 성막하는 단계로서, 상기 성막 사이클 각각은, 상기 제2 표면 위에 제1 전구체를 흡착시키는 단계, 제1 퍼지 공정을 수행하는 단계, 상기 제2 표면 위에 제2 전구체를 흡착시키는 단계, 및 제2 퍼지 공정을 수행하는 단계를 포함하는 단계, 및 상기 제1 퍼지 공정 또는 상기 제2 퍼지 공정과 상이한 제3 퍼지 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020200009109
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