| 초록 |
플라즈마 처리 시스템 및 방법이 제공된다. 일례에서, 시스템은 워크피스 지지부를 갖는 처리 챔버를 포함한다. 워크피스는 워크피스를 지지하도록 구성된다. 시스템은 하나 이상의 음이온 종을 생성하기 위하여 플라즈마 챔버 내에서 공정 가스로부터 플라즈마를 유도하도록 구성된 플라즈마 소스를 포함한다. 시스템은, 워크피스를 향하여 하나 이상의 음이온을 가속하도록 구성된 그리드 구조체를 포함한다. 그리드 구조체는 제1 그리드 플레이트, 제2 그리드 플레이트 및 제1 그리드 플레이트를 통하여 가속되는 전자를 감소시키기 위하여 제1 그리드 플레이트와 제2 그리드 플레이트 사이에 위치 설정된 하나 이상의 자기 요소를 포함할 수 있다. 시스템은, 그리드 구조체의 하류에 배치되고, 워크피스를 처리하기 위한 하나 이상의 고에너지 중성 종(energetic neutral species)을 생성하기 위하여 하나 이상의 음이온 종의 이온으로부터 여분의 전자를 분리하도록 구성된 중성화기 셀(neutralizer cell)을 포함한다. |
