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특허 실용신안

조정가능한 높은 수직 자기 이방성을 갖는 자기 터널 접합들

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기관명	NDSL
출원인	어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
출원번호	10-2023-7026614
출원일자	2023-08-03
공개번호	20230817
공개일자	0000-00-00
등록번호
등록일자	0000-00-00
권리구분	KUPA
초록	본 개시내용의 실시예들은 MRAM 응용들 및 연관된 MTJ 디바이스들을 위해 기판 상에 배치된 막 스택으로부터 MTJ 구조들을 형성하기 위한 방법들을 제공한다.본원에 설명된 방법들은 충분히 높은 수직 자기 이방성(PMA)을 갖는 막 스택을 생성하기 위해 막 스택으로부터 물질 층들의 막 특성들을 형성하는 단계를 포함한다.바람직한 PMA를 생성하기 위해 철 함유 산화물 캡핑 층이 활용된다.철 함유 산화물 캡핑 층을 활용함으로써, 캡핑 층의 두께는 더 미세하게 제어될 수 있고, 자기 저장 층과 캡핑 층의 계면에서의 붕소에 대한 의존성이 감소된다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020237026614
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