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특허 실용신안
특허/실용신안
EUV용 다층 반사 미러, 그를 위한 파면 수차 보정방법, 및 그를 구비하는 EUV 광학 시스템
특허 실용신안 개요
| 기관명 | NDSL |
|---|---|
| 출원인 | 가부시키가이샤 니콘 |
| 출원번호 | 10-2001-0064952 |
| 출원일자 | 2001-10-20 |
| 공개번호 | 20080509 |
| 공개일자 | 0000-00-00 |
| 등록번호 | |
| 등록일자 | 0000-00-00 |
| 권리구분 | KUPA |
| 초록 | 특히 '극자외선' ('소프트 X선' 또는 'EUV') 광학시스템에 사용되는 다층 미러가 개시된다. 각각의 다층 미러는 제 1 물질 및 제 2 물질의 교호층의 스택을 각각 포함하여 EUV 반사면을 형성한다. 제 1 물질은 진공과 실질적으로 동일한 굴절률을 가지며, 제 2 물질은 미러가 EUV 조사를 반사하도록 제 1 물질의 굴절률과 충분히 상이한 굴절률을 갖는다. 표면으로부터 반사된 EUV 광의 파면(wavefront) 프로파일은 스택 표면의 선택된 영역(들)의 스택의 하나이상의 표면층을 제거(가공)됨으로써 보정된다. 가공된 영역이 가파른 에지보다 부드럽게 테이퍼된 에지를 갖도록 가공이 수행될 수 있다. 스택은 가공의 단위가 매우 작은 제 1 및 제 2 층 그룹을 포함하여, 파면 수차 보정이 수행될 수 있는 정밀도를 개선할 수 있다. 또한, 미러의 반사 파장 프로파일을 측정하는 다양한 파장 기술을 개시한다. 미러 표면은 고투과성을 갖는 내구성 물질의 커버층을 포함하여 선택된 영역을 가공함으로써 발생된 표면의 반사율의 변화를 감소시킬 수 있다. |
| 원문URL | http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KUPA&cn=KOR1020010064952 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| IPC분류체계CODE | |
| 주제어 (키워드) |