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특허 실용신안

질화물 반도체 기판의 제조 방법

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기관명	NDSL
출원인	한국전자통신연구원
출원번호	10-2002-0011404
출원일자	2002-03-04
공개번호	20080509
공개일자	2004-12-14
등록번호	10-0461505-0000
등록일자	2004-12-02
권리구분	KPTN
초록	본 발명은 청색 및 자외선(UV) 발광 소자용 재료로 사용되는 Ⅲ족의 질화물계 단결정 반도체 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상에 완충층 역할을 하는 질화알루미늄(AlN)박막을 성장시킨 후 표면을 열산화시키고, 열산화막에 의해 표면이 보호된 질화알루미늄(AlN)박막 상에 할라이드 기상성장(HVPE)법으로 질화갈륨(GaN)박막을 형성하므로써 순도가 높은 질화막 단결정을 얻을 수 있다. 사파이어 기판에 비해 질화갈륨(GaN)과의 열팽창계수 차이가 적고 저가이며 특히, 대면적 기판을 얻을 수 있는 실리콘 기판 상에 질화막 단결정을 성장시키므로 산업상의 적용이 가능해져 기술적인 파급효과와 함께 경제적인 효과를 얻을 수 있다.
원문URL	http://click.ndsl.kr/servlet/OpenAPIDetailView?keyValue=03553784&target=KPTN&cn=KOR1020020011404
첨부파일