| 초록 |
반도체 장치의 전극으로 사용되는 루테늄 박막에 대하여 개시한다. 본 발명의 루테늄 박막 형성 방법은: 루테늄 소스 가스와 산소 가스를 사용하여 화학 기상 증착법으로 반응 챔버 내의 기판 상에 루테늄 박막을 형성하는 방법에 있어서, 할로겐 화합물을 이용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 할로겐 화합물을 이용하여 보다 많은 루테늄 시드들이 생기도록 유도하므로 보다 균일한 루테늄 박막을 증착하기 때문에, 누설 전류가 감소하고 항복 전압이 증가하는 전기적 특성이 좋아지게 되는 효과가 있다. 그리고, 고온 공정에서도 박막 증착률이 커져서 저온 공정에서 생기기 쉬운 탄소 불순물이 생기지 않아 별도의 열처리 공정이 필요하지 않기 때문에, 생산성 향상과 원가 절감 효과가 있다. 또한, 보다 작은 선폭을 가진 단차 패턴의 고품질 루테늄 박막을 형성할 수 있어서, 유전 물질과 상부 전극을 쉽게 채워 넣을 수 있는 디램 커패시터의 하부 전극을 형성할 수 있기 때문에 반도체 산업에 기여할 수 있다. |
