| 초록 |
본 발명의 탄소계 물질 박막 형성방법은 미소공음극 방전(micro-hallow emission) 또는 이온빔활성증착(IBAD)을 이용하여 물체 표면에 다이아몬드상탄소(DLC) 및 질화탄소(C 3 N 4 ) 박막을 형성함으로써, 의학용 임플란트 재료나 신소재로 사용할 수 있는 박막형성 방법에 관한 것이다. 본 발명은 진공상태에서 입사시킨 탄소계물질로부터 미소공음극 방전을 이용하여 탄소이온 플라즈마를 생성하고 여기서 생성한 탄소이온 플라즈마를 피코팅물체에 가압시킴으로써 탄소계물질 박막을 형성하는 특징과, 진공상태에서 탄소원을 기화시키는 동시에 가스 이온빔을 조사하여 증착종에 추가의 에너지를 부가하는 이온빔어시스트 증착(Ion beam assist deposition, IBAD)하여 탄소계물질 박막을 형성하는 특징이 있다. 이러한 본 발명은 의료용 임플란트 재료의 피막형성은 물론 건식세정, 저온메탈코팅, 폴리머/고무(Rubber) 표면 접착성개선, 섬유표면개질 등 다양한 분야에 적용할 수 있어, 탄소계 물질 가공기술 발전에 기여할 것으로 기대된다. |
